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三菱電機開始發售功率半導體「1200V SiC-SBD」 [2019/3/27]

返回技術最新動态

 

 

2019327

三菱電機株式會社

 

降低源系的耗量、小其體做出

開始功率半1200V SiC-SBD

 

  近日,三菱電機株式會社發布了1200V Si-SBD(碳化矽肖特基二極管),該産品有利于降低太陽能發電系統、EV充電器等系統的損耗和體積。預計将于20196月提供樣品,20201月開始發售。本品将在TECHNO-FRONTIER 2019 -MOTORTECH JAPAN-”(417日~19日于日本幕張舉), “PCIM Europe2019579日于德國紐倫行), “PCIM1 Asia201962628日于中人民共和國上海行)上展出。

1 Silicon Carbide:碳化矽

2 Schottky Barrier Diode:肖特基勢壘二極

 

新産品的特點

1采用SiC,有利于降低系統損耗和體積

使用SiC大幅降低開關耗,降低21%的3

實現高速開關,有利于縮抗器等配套零部件的體

3 與内置PFC路的三菱品功率半體模DIPPFCTM上搭Si(矽)二極管相比

 

2采用JBS構,提高可靠性

采用pn與肖特基合的JBS4

JBS構提高浪湧流耐量,從而提高可靠

4 Junction Barrier Schottky

 

35産品構成的産品陣容可對應各種各樣的用途

除了通常的TO-247封裝外,還采用了擴大絕緣距離的TO-247-2封裝

除民用品外還可對應工業等各種各樣的用途

産品陣容中還包括符合AEC-Q1015的産品(BD20120SJ),也可對應車載用途

5 Automotive Electronics Council:車載電子零部件質量規格

 

發售概要

 

 

銷售目标

    近年來,出于保的考,人們對大幅降低耗或利用SiC實現高速開關的功率半體的期待逐。三菱機自2010年起陸續推出了搭SiC-SBD、SiC-MOSFET6SiC功率半體模,廣泛用于空調以及工機械、車輛的逆器系等,降低家及工機械的耗量,小其體和重量做出了。

  一背景下,此次将售采用了SiC的功率半體“SiC-SBD”。源系中應用SiC-SBD”,将降低客的系量,小體做出。

  品的開得到了日本New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支持。

6 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金屬酸化膜半導體製の電界効果トランジスタ

 

 

主要規格 

 

    ※7 8.3msec, sine wave

 

 

SiC-SBD系列的産品陣容

  

粗框内為本次的新産品。