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産品信息
SIC功率模塊

New/Featured Products

特性參數表

請您參照 SIC功率模塊 特性參數表  

用途廣泛的各類碳化矽(SiC)功率模塊

應用 産品名稱 型号 額定值 内部拓撲
電壓[V] 電流[A]
工業 混合 SiC-IPM PMH75CL1A120 1200 75 6-in-1
全 SiC-IPM PMF75CL1A120
全SiC功率模塊 1200 400 4-in-1
800 2-in-1
600
800
高頻開關用混合SiC功率模塊 CMH100DY-24NFH 1200 100 2-in-1
CMH150DY-24NFH 150
CMH200DU-24NFH 200
CMH300DU-24NFH 300
CMH300DX-24NFH
CMH400DU-24NFH 400
CMH400HC6-24NFM 1-in-1
CMH600DU-24NFH 600 2-in-1
光伏用DIPIPM PSH50YA2A6 600 50 4-in-1
軌道牽引 混合SiC功率模塊 CMH1200DC-34S 1700 1200 2-in-1
家電 超小型全SiC DIPIPMtd> PSF15S92F6 600 15 6-in-1
PSF25S92F6 25
超小型混合SiC DIPPFC PSH20L91A6-A 20Arms Boost chopper×2
超小型全SiC DIPPFC PSF20L91A6-A

有着優異特性的碳化矽(SiC)

降低電能損耗

降低電能損耗

碳化矽材料的絕緣擊穿電場強度大約比單晶矽高10倍。 除此之外,由于主要決定電阻的漂移層的厚度也隻有單晶矽的十分之一,所以電阻也大幅降低,從而進一步減少電能損耗。 同時,SiC的優越性能也大幅降低了功率器件的導通損耗以及開關損耗。


高溫操作

高溫操作

在溫度升高時,電子會向導帶轉移,漏電流增加,導緻無法正常運行。 碳化矽的禁帶寬度約為單晶矽的三倍,即使在高溫時漏電流的增加也很小,可以确保高溫下運行。


高速的開關操作

高速的開關操作

碳化矽在利用強度很高的絕緣擊穿電場降低電能損耗的同時,也容易實現耐高壓,所以可以利用單晶矽無法使用的肖特基勢壘二極管(SBD)(Schottky Barrier Diode)。 由于SBD沒有載流子累加,最終幫助實現高速的開關動作。


優異的散熱效果

優異的散熱效果

碳化矽的熱傳導率約為單晶矽的三倍,有效提高了散熱能力。


Featured Products
家電用 600V/15A・25A 超小型全SiC DIPIPM的優點

  • 搭載SiC-MOSFET,能夠降低通态阻抗,與已有産品*相比,功率損耗約減少70%
  • 反向恢複電流變小,降低系統運行噪音
  • 集成豐富功能,如自舉電路、溫度輸出等
  • 采用獨有的高開通阈值電壓 SiC-MOSFET芯片,門極驅動無需負壓關斷
  • 确保封裝和引腳布局與已有産品*的兼容性,直接更換可提高系統性能
  • *: 本公司産超小型DIPIPM系列


    内部模塊圖

    内部模塊圖

    功率損耗比較

    功率損耗比較


    Featured Products
    PV用 600V/50A 大型混合SiC DIPIPM的優點

  • 二極管處搭載SiC-SBD芯片,開關管處搭載CSTBT™結構的第7代IGBT矽片
  • 與現有産品*相比,功率損耗約減少25%
  • 短路保護方式變更有助于減小光伏逆變器體積


  • *: 本公司生産的大型DIPIPM PS61A99


    内部模塊圖

    内部模塊圖

    功率損耗比較

    功率損耗比較


    Featured Products
    家電用 超小型混合/全SiC DIPPFC的優點

  • 搭載SiC-MOSFET,能夠滿足高頻化應用(最高40kHz)要求,電抗器、散熱器等周邊配套部件的小型化有助于降低成本
  • 内置雙升壓斬波電路,能夠實現交錯并聯控制
  • 與超小型DIPIPM相同封裝,與逆變電路共用散熱器時,無需額外調整兩者的高度,安裝更加方便



  • 内部模塊圖(全SiC DIPPFC)

    内部模塊圖

    功率損耗比較

    功率損耗比較


    Featured Products
    工業用 1200V/75A混合/全SiC IPM的優點

  • 内置驅動電路、電流檢測電路和保護電路
  • 功率損耗比現有産品*大幅降低
  • 與現有産品*兼容封裝,可替換



  • *: 本公司生産的IPM L1系列PM75CL1A120

    主要規格

    額定值 1200V/75A 6in1
    内置功能
      内置驅動電路
      欠壓保護
      短路保護
      過溫保護
      (檢測IGBT矽片表面)

    内部模塊圖(全SiC DIPPFC)

    内部模塊圖

    功率損耗比較

    功率損耗比較


    Featured Products
    工業用 1200V/400A・1200V/800A 全SiC功率模塊的優點

  • 與現有産品*相比,功率損耗約減少70%
  • 采用低電感封裝,充分發揮SiC器件性
  • 與現有産品*相比,封裝體積大幅減小,安裝面積約減少60%,有助于減小變流器的體積和重量



  • *: 使用2個本公司生産的IGBT模塊CM400DY-24NF(1200V/400A 2in1)時

    産品陣容

    應用 額定電壓 額定電流 内部拓撲 封裝尺寸
    工業 1200V 400A 4-in-1 92.3×121.7mm
    800A 2-in-1

    與已有産品的封裝比較

    與已有産品的封裝比較

    功率損耗比較 1200V/800A 全SiC功率模塊

    功率損耗比較 1200V/800A全SiC 功率模塊

    New Products
    工業用 1200V/600A・1200V/800A 全SiC功率模塊的優點

  • 内置短路檢測電路,能夠将短路故障信息輸出給控制系統
  • 與現有産品*相比,功率損耗約減少70%*
  • 采用低電感封裝,充分發揮SiC器件性能



  • *: 使用2個本公司生産的IGBT模塊CM400DY-24NF(1200V/400A 2in1)時

    産品陣容

    型号 額定電壓 額定電流 封裝尺寸 (D x W)
    1200V 600A 79.6×122mm
    800A

    ★★ Under development

    内部保護電路圖(示例)

    内部保護電路圖(示例)

    功率損耗對比 1200V/800A 全SiC功率模塊

    功率損耗對比 1200V/800A全SiC  功率模塊

    Featured Products
    高頻用 混合SiC功率模塊的優點

  • 與現有産品*相比,功率損耗約減少40%,設備效率更高
  • 有助于小型化輕量化,低電感封裝有助于減小浪湧電壓
  • 與現有産品*兼容封裝,可替換



  • *: 本公司生産的IGBT模塊NFH系列

    産品陣容

    應用 型号 額定電壓 額定電流 内部拓撲 封裝尺寸
    ( D x W )
    工業 CMH100DY-24NFH 1200V 100A 2-in-1 48×94mm
    CMH150DY-24NFH 150A 48×94mm
    CMH200DU-24NFH 200A 62×108mm
    CMH300DU-24NFH 300A 62×108mm
    CMH300DX-24NFH 63×152mm
    CMH400DU-24NFH 400A 80×110mm
    CMH400HC6-24NFM 400A 1-in-1 62×108mm
    CMH600DU-24NFH 600A 2-in-1 80×110mm

    反向恢複波形(FWD)

    反向恢複波形(FWD)

    功率損耗比較

    功率損耗比較

    Featured Products
    鐵路牽引變流器用 混合SiC功率模塊的優點

  • 與現有産品*相比,功率損耗減少30%
  • 适合鐵路應用的高可靠設計
  • 與現有産品*兼容封裝,可替換



  • *: 本公司生産的功率模塊CM1200DC-34N

    主要規格

    模塊 最大運行結溫 150℃
    絕緣電壓 4000Vrms
    Si-IGBT
    @150℃
    集電極-發射極飽和電壓 2.3V
    開關損耗
    850V/1200V
    導通 140mJ
    關斷 390mJ
    SiC-SBD
    @150℃
    發射極-集電極電壓 2.3V
    充電電荷 9.0µC

    内部模塊圖

    内部模塊圖

    功率損耗比較

    功率損耗比較

    三菱電機的碳化矽(SiC)功率器件的研發與搭載該器件的産品

    三菱電機在20世紀90年代初期就開始關注碳化矽材料,開展了很多關鍵技術研發。 在2010年,三菱電機開發了世界上首款采用碳化矽功率模塊的空調 ,随後在鐵路和工業自動化(FA)等領域驗證了碳化矽功率模塊帶來的節能效果。 今後也将繼續通過前沿研發和成果轉化,持續提供有競争力的碳化矽功率模塊。

    同步邁向低碳社會和富足生活

  • ※1:截至公告發布時。由我公司調查。 ※2:截至2018年4月正在研發中。
  • *
    上文中的年月為公告發布的時間或者産品發售月份
  • 碳化矽功率模塊以及搭載該模塊的産品,使用了日本經濟産業省以及獨立行政法人新能源和産業技術綜合開發機構(NEDO)委托研究的部分成果。
  • 鍊接圖标