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産品信息

高頻矽器件

高頻矽器件

概要

三菱高頻矽器件支持無線通信網絡。
三菱高頻矽器件是針對頻率為數MHz到1GHz的移動無線通信設備發射段功率放大用的關鍵部件,有力地支持了無線通信網絡,廣泛用于移動公務用無線電設備、業餘無線電設備以及車載信息服務市場。

特性參數表

請您參照 高頻矽器件 特性參數表

産品選擇圖


3.6V運作 大功率 MOS FET(分立)

3.6V運作 大功率 MOS FET(分立) RD02LUS2 RD04LUS2

7.2V運作 大功率 MOS FET(分立)

7.2V運作 大功率 MOS FET(分立) RD12MVP1 RD12MVS1 RD08MUS2 RD07MUS2B RD09MUP2 RD10MMS2 RD05MMP1 RD01MUS2 RD02MUS2 RD01MUS2B

12.5V運作 大功率 MOS FET(分立)

12.5V運作 大功率 MOS FET(分立) RD100HHF1C RD70HUP2 RD70HVF1C RD60HUF1C RD35HUP2 RD16HHF1 RD15HVF1 RD06HHF1 RD06HVF1 RD04HMS2

7.2V運作 大功率 MOS FET模塊

7.2V運作 大功率 MOS FET模塊 RA07M1317M RA07M3847M RA07M4452M RA03M8087M RA03M8894M

9.6V運作 大功率 MOS FET模塊

9.6V運作 大功率 MOS FET模塊 RA08N1317M RA07N4047M RA07N4452M

★:New Product

12.5V運作 大功率 MOS FET模塊

12.5V運作 大功率 MOS FET模塊 RA80H1415M1 RA60H1317M1A RA60H1317M1B RA60H3340M1A RA60H3847M1 RA60H3847M1A RA60H4452M1 RA60H4452M1A RA33H1516M1 RA30H1317M1 RA30H1317M1A RA30H3847M1 RA30H3847M1A RA30H4452M1 RA30H4452M1A RA30H2127M1 RA08H1317M RA07N4047M RA07N4452M

★:New Product

  • 三菱機電的大多數器件提供ADS/MWO非線性模塊以及可靠性數據。請聯系銷售代表。